Dünyanın önde gelen bellek üreticisi Samsung, bellek teknolojisinde çığır açan bir gelişmeye imza atarak, 900 katmanlı V-NAND flaş bellek çipinin prototipini geliştirdi. Güney Kore merkezli ETNews’te yer alan habere göre, Samsung’un yeni nesil çipinde “Cell Multi-Bonding (CMB)” adlı yenilikçi bir üretim tekniği kullanılıyor. Bu teknoloji, iki adet 450 katmanlı hücre wafer’ını birleştirerek tek bir NAND çipi elde ediyor. Katman sayısındaki bu artış, depolama kapasitesini artırırken enerji tüketimini de azaltıyor.
Yüksek yoğunluklu bellek yapıları, özellikle yapay zeka sunucuları ve veri merkezleri gibi uygulamalar için büyük avantajlar sunmakta. Şu anda 321 katmanlı çözümleriyle SK Hynix, yüksek katmanlı NAND pazarında lider konumda bulunuyor. Ancak Samsung’un 400 katmanlı 10. nesil NAND çiplerini seri üretime hazırlaması ve 900 katmanlı çiplerin araştırma aşamasında olması, şirketin teknoloji yarışında önemli bir avantaj kazandığını gösteriyor.
Samsung, 2013 yılında dünyanın ilk ticari 3D V-NAND belleğini piyasaya süren şirket olmuştu. Fakat katman sayılarının artması, wafer eğilmesi ve hizalama gibi üretim zorluklarını da beraberinde getirdi. Samsung’un bu sorunları aşmak için geliştirdiği “Upper Chuck” tasarımı ve “Overlay Correction” teknolojileri dikkat çekiyor. Ayrıca, Samsung’un Bitline (BL) ve Wordline (WL) mimarilerindeki iyileştirmeler sayesinde güç tüketimini azaltarak çip boyutlarını da küçülttüğü bildiriliyor.
Buna ek olarak, Çinli bellek üreticisi Yangtze Memory Technologies Co. (YMTC), NAND pazarındaki rekabeti artırarak dikkatleri üzerine çekiyor. Şirket, devlet destekli yatırımlar ve yerelleştirilen üretim ekipmanları ile 294 katmanlı NAND çiplerinin seri üretimine başladı. Bu gelişmeler, bellek pazarında rekabetin giderek yoğunlaştığını gösteriyor.
